存储容量：256Kbit，组织形式为 32K x 8，即有 32768 个存储单元，每个单元可存储 8 位数据。
访问时间：最大访问时间为 45ns，属于速度较快的存储器，能满足一些对数据读写速度要求较高的应用场景。
电源电压：工作电压范围为 4.5V - 5.5V，典型工作电压为 5V。
工作温度：工作温度范围是 - 40℃至 + 85℃，可适应较宽的温度环境，适用于工业等对环境温度要求较高的领域。
封装形式：采用 SO - 28（Small Outline - 28）封装，是一种常见的表面贴装（SMD/SMT）封装形式，便于安装在印刷电路板（PCB）上。
接口类型：并行接口，可同时传输多个数据位，数据传输速度快，能与其他具有并行接口的设备或电路方便地连接和通信。
功能特点：作为 SRAM，只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，不需要像动态随机存取存储器（DRAM）那样周期性地刷新。它以双稳态电路作为存储单元，基于内部的触发器结构工作，每个存储单元由多个晶体管组成的锁存器构成，能够稳定地保持数据状态。
这种存储器常被用于一些对数据读写速度要求高、但对成本和体积不太敏感的场合，如高速缓存（Cache）、嵌入式系统中的高速数据存储区域以及一些需要快速处理数据的专用电路等。
