一、核心技术特性
平均电流模式 PWM 控制
采用固定频率平均电流模式（L4981A 系列特性），无需斜率补偿即可保持正弦线电流，显著降低电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。该技术通过精确控制输入电流波形，使功率因数（PF）达到 0.99 以上，总谐波失真（THD）低于 5%，满足 IEC 61000-3-2 等谐波抑制标准。
宽输入电压范围与自适应能力
支持 85V 至 265V 的全球通用交流输入电压，无需线路切换即可适应不同电网环境。芯片内部集成欠压锁定（UVLO）功能，当输入电压低于 16.5V 时自动关断，电压恢复至 19.5V 以上时重新启动，有效保护后端电路。
高集成度与精简外围设计
内置功率 MOSFET 栅极驱动器、精密电压基准（误差 ±2%）、过压 / 过流保护及软启动电路，大幅减少外部元件数量。例如，过流保护阈值可通过简单电阻编程（L4981A）或外部分频器（L4981B）灵活配置，简化设计复杂度。
高效能与热稳定性
在典型 24V/2A 升压电源应用中，效率可达 90%_以上。芯片采用 SOIC-20 封装，支持 - 40℃至 125℃的宽温工作范围，并通过内部过热保护机制确保长期可靠运行。
二、典型应用电路设计
1. 基本架构
L4981AD013TR 通常用于 Boost 型 PFC 电路，其典型配置包括：
输入滤波电路：由 X 电容、共模电感组成，用于抑制高频噪声。
功率级：包含升压电感、快恢复二极管（如 MUR1560）及外部 MOSFET（如 STP40NF06L）。
控制环路：通过电阻分压网络采样输出电压，反馈至芯片内部误差放大器，实现闭环调节。
2. 关键元件选型建议
电感：建议选择饱和电流≥3 倍峰值输入电流的磁芯（如 PQ32/20），以避免磁饱和导致的效率下降。
输出电容：采用低 ESR 的电解电容（如 Rubycon ZL 系列），容量根据负载需求计算，通常为 100μF/400V。
PCB 布局：优先缩短功率回路（MOSFET 源极至电感、二极管至输出电容），并将控制信号与功率走线隔离以降低干扰。
三、性能优势与市场定位
对比传统方案
与 UC3854 等早期 PFC 控制器相比，L4981AD013TR 无需斜率补偿电路，且功率因数提升至 0.99（UC3854 典型值为 0.95），更适合对能效要求严苛的场景。与 Infineon ICE3PCS01G 相比，其 THD 更低（<5%_vs. ~10%），且集成过压保护等功能，进一步简化设计。
应用领域
广泛适用于：
工业电源（如伺服驱动器、医疗设备）
消费电子（如 4K 电视、游戏主机电源）
新能源系统（如太阳能逆变器、储能设备）。
