基本信息：
类别：属于 NAND 型闪存芯片，在存储领域应用广泛。
封装形式：采用 TSOP-48（Thin Small Outline Package）封装，这种封装体积小巧，适合高密度布局，便于与其他电子元件共同使用。
规格说明：其规格型号中的 “64M x 8” 表示该芯片的存储容量为 64M（兆）位，数据宽度为 8 位。
性能参数：
工作电压：范围在 2.7V - 3.6V，具有较宽的电压适应范围，可保证在不同的电源环境下稳定工作。
读电流：约 25mA（典型值），在读取数据时消耗的电流相对较小，有助于降低设备的功耗。
编程电流：约 20mA（典型值），在进行数据写入操作时的电流消耗情况。
擦除电流：约 30mA（典型值），擦除数据时的电流消耗水平。
存储温度：-55°C 至 125°C，能够在较为极端的温度环境下保存数据，保证了数据的稳定性和可靠性。
工作温度：-40°C 至 85°C，在正常工作状态下可以适应的温度范围，适用于多种工作环境。
读写速度：读取速度高达 20MB/s，编程速度可达 15MB/s，快速的读写速度能够满足大多数应用场景的需求。
应用场景：
移动设备：如智能手机、平板电脑等，可作为内置存储使用，满足用户对应用、照片和视频等数据的存储需求。
数码相机：用于存储拍摄的照片和视频，快速写入数据的特点可以减少用户等待时间，提升使用体验。
医疗设备：可存储患者数据和医疗影像，高可靠性及抗干扰能力确保在复杂的医疗环境中数据的完整性。
工业控制系统：用于存储控制程序及传感器数据，低功耗特性适合长时间运行的工业设备，延长系统的使用寿命。
汽车电子：广泛应用于汽车的导航仪、娱乐系统等关键部件，为汽车提供稳定和高效的存储解决方案。
