基本参数：
存储容量：为 2Gb，即 256MB（按照 8 位数据宽度计算），组织形式为 128M×16，意味着该芯片具有 128M（128×1024×1024 = 134217728）个存储单元，每个存储单元的宽度为 16 位。
封装形式：采用 96 球 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，这种封装具有体积小、引脚间距小、信号传输速度快等优点，适用于对空间要求较高的电子设备。
工作电压：支持 1.35V（1.28V~1.45V）或 1.5V（1.425V~1.575V）的单电源供电，以及 1.35V（1.28V~1.45V）或 1.5V（1.425V~1.575V）的 VDDQ 供电，能够满足不同电路设计的电压需求。
性能指标：
数据传输速率：具有较高的数据传输速率，可实现高速双倍数据速率传输，例如在 933MHz 的时钟频率（fck）下，传输速率可达 1866MB/s/pin。
延迟特性：可编程 CAS 延迟（CAS Latency）为 5、6、7、8、9、10、11、13 等不同的值，可编程附加延迟为 0、CL-2 或 CL-1 时钟，可编程 CAS 写延迟（CWL）根据不同的工作频率有不同的设置，如 DDR3-800 对应 5，DDR3-1066 对应 6 等。
其他特性：具有 8 个存储体（banks），支持突发长度为 8 或 4，支持双向差分数据选通、内部自校准（通过 ZQ 引脚进行）、使用 ODT 引脚进行裸片端接、异步复位等功能。
工作温度范围：支持工业温度范围，一般为 -40℃至 95℃。
该存储芯片广泛应用于各种电子设备，如电脑、服务器、网络设备、通信设备等，用于存储程序代码、数据等信息。
