基本参数：
存储容量：256Kbit，即 32K×8，意味着该芯片可以存储 32K 个 8 位的数据。
访问时间：150ns，访问时间较短，能够快速地读取和写入数据，这对于对数据存储速度有要求的应用非常重要。
电压范围：电源电压为 2.7V~3.6V，适用于多种电源供电的电子设备。
封装形式：采用 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽）封装，这种封装形式在电路板上占用的空间相对较小，便于电子设备的小型化设计。
性能特点：
非易失性：即使在电源关闭的情况下，存储的数据也不会丢失，无需备用电池来保持数据，这使得它在一些对数据保存可靠性要求较高的应用场景中具有优势，例如在掉电时需要保存关键数据的设备。
高读写耐久性：具有较高的读写次数耐久性，可保证 10 万亿（10^13）次的读 / 写周期，相比传统的非易失性存储器，如 EEPROM，其读写耐久性更高，能够满足频繁读写数据的应用需求。
低功耗：在写入操作时不需要升压电路，并且相比 EEPROM 减少了 92%_的写入功耗，同时没有为保持数据而需要的数据保持电流，这对于对功耗敏感的便携式电子设备或需要长时间运行的电子系统来说，可以降低整体的功耗，延长电池续航时间或减少能源消耗。
应用领域：由于其具有快速读写、非易失性、高读写耐久性和低功耗等优点，MB85R256FPNF-G-JNERE2 可广泛应用于工业控制、汽车电子、智能仪表、医疗设备、物联网等领域。例如，在工业控制中用于存储关键的参数和数据，在汽车电子中用于存储车辆的运行状态和故障信息等。
