基本参数
供电电压：10V 至 20V。
输出电流：200μA、350μA。
栅极类型：IGBT、N 通道 MOSFET。
逻辑电压：VIL 为 0.8V，VIH 为 2.9V。
工作温度：-40℃至 + 150℃。
封装形式：SOIC8_150MIL，尺寸为 4.90mm×3.90mm。
功能特点
双路独立驱动：具有两个独立的低端输出，可分别用于驱动半桥拓扑中的两个 MOSFET 或 IGBT，能灵活实现对不同开关管的控制。
高速开关能力：采用高速 CMOS 技术，可实现快速的开关动作，其上升 / 下降时间分别为 150ns、50ns，能够满足高频开关应用的需求，实现高效率的功率转换。
高电压承受能力：可承受高达 600V 的直流电压，适用于各种高压应用场合，如逆变器、开关电源等。
多种保护功能：具备低电压锁定、热关断和过流保护等多种保护功能，能够有效保护芯片和外部电路元件免受损坏，提高系统的稳定性和可靠性。
输入兼容性好：输入类型为非反相，逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可方便地与各种控制器连接，适用于 3.3V 逻辑电平及以上的控制信号输入。
应用领域
电动机驱动器：可用于驱动直流电机、步进电机和交流电机等各种类型的电动机，通过控制 MOSFET 或 IGBT 的开关，实现对电机的速度、方向等参数的精确控制。
逆变器：常用于逆变器的输出级，通过控制 MOSFET 或 IGBT 的开关来实现直流到交流的电压变换，为交流负载提供稳定的电源。
开关电源：在开关电源的输出级中应用，能够实现高效率的功率转换，将输入的直流电压转换为不同电压等级的直流输出，满足各种电子设备的供电需求。
LED 驱动器：可用于 LED 驱动器的输出级，通过控制 MOSFET 或 IGBT 的开关，实现对 LED 电流的精确控制，从而实现高亮度、高效率的 LED 照明效果。
