产品型号：MC14013BDR2G，代表了器件的特定身份和规格。
封装类型：采用 14 引脚的 SOIC（Small Outline Integrated Circuit）封装，具有体积小、适合表面贴装等特点，便于在 PCB 板上进行高密度布线。
制造厂商：ON 安森美。
内部结构与原理
组成：由 MOS P 通道和 N 通道增强模式器件以单个整体结构构成，内部包含两个独立的 D 型触发器单元，每个触发器具有独立的数据（D）、直接设置（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入以及互补输出（Q 和低电平有效 Q）。
触发方式：属于上升沿触发的触发器，即只有在时钟脉冲的上升沿到来时，数据输入端 D 上的电平值才会被锁存至输出端 Q，而在时钟信号为低电平或保持高电平时，输出 Q 保持其先前的状态。
性能参数
电源电压范围：3VDC 至 18VDC，宽电压范围使得该器件能够适应多种不同的电源环境。
传播延迟时间：最长传播延迟时间为 450ns@50pF。
工作温度范围：-55°C 至 + 125°C，可在极端温度环境下工作，适用于汽车、军事和工业等对温度要求苛刻的应用场景。
输出驱动能力：能够在额定温度范围内驱动两个低功率 TTL 负载或一个低功率肖特基 TTL 负载。
应用领域
数据存储：可用于暂时存储数据，例如缓存数据流或在数据处理过程中暂存输入状态。
状态机设计：在数字逻辑中，可用于设计状态机器，实现对复杂逻辑状态的管理。
频率合成与信号处理：通过配置该触发器可用于不同频率的信号处理，例如在时钟信号分频和多路复用应用中。
