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SI7997DP-T1-GE3 MOSFET

发布时间2025-2-26 9:11:00关键词:SI7997DP-T1-GE3
摘要

SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3 是威世(Vishay)公司推出的一款 P 沟道双 MOSFET,以下是它的详细介绍:
基本参数
漏极至源极电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds (on)):最大 5.5 毫欧 @20A,10V
栅源阈值电压(Vgs (th)):最大 2.2V@250µA
闸电荷(Qg):160nC@10V
输入电容(Ciss):6200pF@15V
功率(Pd):46W
安装类型:表面贴装
封装形式:PowerPAK SO-8 双
特点
低导通电阻:能够降低导通时的能量损耗,提高电路效率,减少发热,适用于对功率损耗要求较高的电路。
大电流处理能力:可通过 60A 的连续漏极电流,能够满足需要驱动大电流负载的应用需求,如大功率电机驱动等。
双 P 沟道结构:集成了两个 P 沟道 MOSFET,可在一个封装内实现多种功能,减少了电路板空间占用,提高了系统集成度。
低栅源阈值电压:只需较低的栅源电压即可使 MOSFET 导通,便于与低电压控制电路接口,降低了驱动电路的设计难度和成本。
高可靠性:具备良好的电气性能和稳定性,符合 ROHS 等相关标准,可在多种恶劣环境下稳定工作。
应用领域
家用电器:如变频空调、洗衣机、冰箱等的电机驱动电路、电源管理电路等,用于控制电机的转速和运行,以及实现电源的通断和电压转换等功能。
工业控制:在工业自动化设备中的电机驱动、继电器驱动、电源开关等电路中,可用于控制工业设备的运行状态,实现精确的功率控制和电路通断控制。
汽车电子:适用于汽车的电源管理系统、车窗电机控制、座椅调节电机控制等电路,能够在汽车的复杂电气环境中稳定工作,满足汽车电子对可靠性和安全性的要求。
消费电子:如平板电脑、笔记本电脑、移动电源等设备的电源管理电路、电池充电电路等,可实现对电源的高效管理和控制,延长设备的电池续航时间。
医疗设备:在医疗设备中的电源管理、信号处理等电路中也有应用,如心电监护仪、超声诊断设备等,能够为医疗设备提供稳定的电源和精确的信号控制。


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