主要特点
宽输入电压范围：输入电压范围为 5.5V 至 36V，能够适应多种不同的电源输入条件，可应用于输入电压波动较大的场景。
大输出电流能力：可提供高达 5A 的持续输出电流，峰值电流可达 6A，能够为如功率放大器、大型数字芯片等对电源功率要求较高的负载提供充足的电力支持。
高效率：通过 110mΩ 集成 MOSFET 开关可实现大于 90%_的高效率，减少了能量在转换过程中的损耗，提高了电源的利用效率，有助于降低系统的功耗和发热。
宽输出电压范围：输出电压可调节，低至 1.22V，初始精度为 1.5%，可以满足各种不同电压需求的电路，如为微处理器、数字信号处理器等提供不同等级的供电电压。
内部补偿：内部集成了补偿电路，最大限度地减少了外部器件数量，简化了电路设计，降低了设计成本和电路板空间占用，同时也提高了电路的稳定性和可靠性。
固定开关频率：具有固定的 500kHz 开关频率，适用于小型滤波器尺寸，有助于减小滤波器等外围元件的体积，使电源模块更加紧凑。
低关断电流：使用 ENA 引脚，关断电源电流通常可减少到 18µA，在系统待机或不需要供电时，能够有效降低功耗，延长电池使用寿命。
多种保护功能：系统受过流限制、过压保护和热关断保护，当输出电流超过限制、输出电压过高或芯片温度过高时，能够自动采取保护措施，防止芯片和其他电路元件因过流、过压或过热而损坏，提高了系统的稳定性和安全性。
工作温度范围宽：工作结温范围为–40°C 至 125°C，可适应不同的工作环境温度，无论是在高温的工业环境还是低温的户外环境等都能稳定工作。
封装形式：采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装，具有良好的散热性能和较小的体积，适合在空间紧凑的电路板上使用。
工作原理
TPS5450DDAR 内部集成了 PWM 控制器、功率 MOSFET 等元件。其工作时，首先将输入的直流电压通过内部的功率 MOSFET 进行开关操作，按照一定的占空比将输入电压斩波成脉冲信号。当 MOSFET 导通时，输入电压为电感器充电，储存能量；当 MOSFET 关断时，电感器释放储存的能量，与输出电容一起维持输出电压的稳定。通过反馈电路实时监测输出电压，将输出电压与内部设定的基准电压进行比较，根据比较结果调整 PWM 信号的占空比，从而实现对输出电压的精确调节，使其稳定在设定值。
应用领域
工业控制：可用于工业自动化设备中的电源模块，为可编程逻辑控制器（PLC）、电机驱动器等设备提供稳定的电源。
通信设备：适用于通信基站、路由器、交换机等通信设备，为其数字电路、射频电路等提供不同电压等级的稳定供电。
消费电子：在平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，可为其 CPU、GPU、显示屏等部件提供电源转换和稳压功能。
汽车电子：能应用于汽车的电子控制系统，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、汽车照明系统等，为这些系统提供稳定可靠的电源。
医疗设备：在医疗仪器如监护仪、超声诊断设备等中，为其电子电路提供稳定的电源，确保设备的正常运行和测量精度。
