H9HCNNN8KUMLHR-NME 是一款由海力士生产的 NAND 闪存芯片,以下是其详细介绍:
基本信息
存储类型:NAND 闪存,具有非易失性,即在断电后数据不会丢失,因此广泛应用于各种需要长期存储数据的设备中.
存储容量:常见为 8GB,不过具体容量可能因不同版本而有所差异.
总线接口:采用 ONFI(开放 NAND Flash Interface),这是一种标准化的接口协议,能够确保芯片与其他设备之间的高效数据传输.
性能参数
操作电压:典型值为 3.3V,在该电压下芯片能够稳定工作,满足大多数电子设备的电源供应要求.
峰值写入速度:高达 400MB/s,快速的写入速度使其能够满足如高清视频录制、大型文件快速存储等对数据写入速度要求较高的应用场景.
读取速度:高达 500MB/s,高读取速度则可以确保设备能够快速获取存储在芯片中的数据,如快速启动应用程序、加载游戏地图等,提升用户体验.
块大小:通常为 128KB,这种块大小的设计在多块存储层次结构中较为常见,有助于提高存储管理的效率和灵活性.
耐用性与可靠性
擦写周期:可达 100,000 次,较高的擦写周期意味着芯片在长期使用过程中能够承受大量的数据写入和擦除操作,从而保证了其使用寿命和数据存储的可靠性.
数据保持时间:在 25°C 环境下,数据保持时间长达 10 年,这确保了存储在芯片中的数据在长时间内不会丢失或损坏,适用于需要长期保存重要数据的应用.
封装与引脚
封装形式:采用 BGA(球栅阵列)封装,这种封装方式具有较小的尺寸和良好的热特性,能够有效节省电路板空间,并且有利于芯片在工作过程中的散热,提高系统的稳定性.
引脚功能:包括接地引脚 GND、电源引脚 VCC、数据引脚 DQ (0:7)、写使能引脚 WE、读使能引脚 RE、芯片使能引脚 CE 以及准备 / 忙引脚 R/B 等。这些引脚的合理设计和使用,使得芯片能够与微控制器等外部设备进行准确、高效的通信和数据传输.
应用领域
智能手机:能够满足用户在拍照、游戏、应用程序等方面对快速读写速度和大容量存储的需求,为用户提供流畅的使用体验.
固态硬盘:其快速读写能力显著提升了固态硬盘的整体性能,满足了数据中心和企业级存储解决方案对高速数据传输的要求.
物联网设备:可为智能家居、工业自动化等领域的设备提供数据持久化能力,确保设备在断电后数据不丢失,并在日常操作中快速响应.
汽车电子:耐高温特性和高擦写耐久性使其成为汽车娱乐系统、导航系统等的理想存储选择,能够适应汽车复杂的工作环境和长期稳定运行的要求.
数字相机:快速写入速度可支持高分辨率图像的即时处理,让用户能够快速拍摄和查看照片,提升拍摄体验.
H9HCNNN8KUMLHR-NME存储芯片
摘要
H9HCNNN8KUMLHR-NME