基本特性：
驱动配置：为半桥驱动，通道类型同步，有 2 个驱动器，可驱动 IGBT、N 沟道 MOSFET 等功率器件。
电源电压：供电电压范围为 14.6V 至 16.6V。
电流能力：输出电流方面，峰值输出灌入电流为 650mA，拉出电流为 400mA。
开关速度：在负载为 1nF 时，上升时间为 50ns，下降时间为 30ns。
工作温度：工作温度范围为 - 45°C 至 125°C。
封装形式：采用 8 引脚的 SOIC 封装。
功能特点：
高电压轨：高侧（浮动）部分能够使用高达 600V 的电压轨，dV/dt 抗扰度在整个温度范围内为 ±50V/nsec。
逻辑输入：逻辑输入兼容 CMOS/TTL，便于与控制器件接口，且具有 CMOS/TTL 施密特触发输入，带有迟滞和下拉功能。
死区时间设置：死区时间功能保证了进一步防止输出交叉导通，用户可以通过连接到 DT/SD 引脚的外部电阻器进行调谐。
保护功能：具有欠压锁定（UVLO）保护功能，还集成了自举二极管，对 VCC 电源电压进行钳位，通常约为 15.6V，可确保器件在电源电压上升太慢或受到电压降影响时正常工作。
