特点
高电压耐受性：能够在高达 600V 的电压下完全运行，适用于驱动高电压的 IGBT 和 MOSFET。
浮动通道设计：专为自举操作设计了浮动通道，可有效驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的高侧配置。
宽栅极驱动供电范围：栅极驱动供电电压范围为 10V 至 20V，可适应多种不同的电源电压条件。
欠压锁定功能：双通道均具备欠压锁定功能，当电源电压低于设定阈值时，会自动锁定输出，防止电路异常工作。
逻辑兼容性强：3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容，可方便地与各种逻辑电平的控制器或信号源连接。
交叉传导预防：内置防止交叉传导逻辑，避免半桥电路中上下桥臂同时导通，提高了电路的稳定性和可靠性。
匹配的传播延迟：双通道具有匹配的传播延迟，确保高侧和低侧输出信号的同步性，减少信号失真和干扰。
高边输出与输入同相：高边输出与 IN 输入同相，便于用户根据输入信号直接判断高边输出状态，简化了电路设计和调试过程。
逻辑和电源接地偏移：逻辑和电源接地允许 +/-5V 的偏移，增加了电路设计的灵活性，有助于解决不同电位参考之间的兼容性问题。
内部死区时间：内部预设了 540ns 的死区时间，可有效防止上下桥臂在切换过程中出现短暂的同时导通现象，还可通过外部 RDT 电阻进行编程，最大可调至 5us（仅 IR21094）。
抗噪声性能好：较低的 di/dt 栅极驱动器设计，使芯片具有更好的抗噪声性能，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
关断功能：关断输入可同时关闭两个通道，方便实现系统的紧急停止或故障保护功能。
工作原理
自举电路：利用自举电容在高侧开关管关断期间储存能量，在高侧开关管导通时为其栅极提供驱动电压，从而实现对高侧 MOSFET 或 IGBT 的有效驱动。
逻辑控制：根据输入的逻辑信号，通过内部的逻辑电路控制高侧和低侧输出通道的导通和关断，实现对半桥电路的精确控制。同时，内部的交叉传导预防逻辑和死区时间控制电路，确保了上下桥臂的正确切换，避免出现短路等故障。
应用领域
工业加热和焊接设备：可用于控制加热元件或焊接设备中的功率器件，实现高效的能量转换和精确的温度控制。
伺服电机驱动：能够为伺服电机的功率放大器提供可靠的栅极驱动信号，实现对伺服电机的精确速度和位置控制。
电动车和太阳能逆变器：在电动车的电池管理系统和太阳能逆变器的直流 - 直流变换器中，可用于驱动 MOSFET 或 IGBT，实现高效的能量转换和电源管理。
其他电力电子系统：如开关电源、UPS 不间断电源、工业自动化控制系统等领域，也可发挥其高性能的栅极驱动作用，提高系统的稳定性和可靠性。
