产品特点：
低功耗设计：属于低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器，静态电流低，停机电流低于 1µA，适用于电池供电等功率受限系统。
无需外部组件：内部集成电压三倍器，无需额外外部组件即可驱动栅极，简化电路设计。
栅极电压保护：栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，可保护外部 MOSFET 栅极免受过高电压冲击。
宽输入电压范围：VCC 范围为 1.8V 至 5V，能适应多种电池或输入配置。
封装与引脚：采用 SOT-23-6 封装，封装尺寸小巧，节省电路板空间，适合表面贴装技术（SMT）。
电气参数：
输入类型：反相。
延迟时间：为 110μs。
工作温度范围：-40°C 至 85°C，可在较宽温度环境下稳定工作。
应用领域：可用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器等设备中也有广泛应用。
