特点
推挽 CMOS 输出：采用推挽 CMOS 输出阶段，能够直接驱动电容负载，无需额外的上拉电阻，有助于减少功耗、节省电路板空间并降低组件成本。
低功耗：在 5V 供电时，典型功耗仅为 100µW，适合低功耗应用。
快速响应时间：具有快速的响应时间，典型值为 2.7µs，即使在 5-mV 的过驱动条件下也能迅速响应。
单电源操作：TLC3702M 型号支持 3V 至 16V 的供电电压范围，而 TLC3702I 型号则支持 4V 至 16V 的范围。
内置 ESD 保护：芯片内置的 ESD 保护功能能够防止静电放电对比较器造成的损害，这对于在组装和操作过程中保护设备非常重要。
宽温度范围操作：TLC3702C 型号适用于 0°C 至 70°C 的商业温度范围，TLC3702I 型号适用于 - 40°C 至 85°C 的扩展工业温度范围，TLC3702M 型号则适用于 - 55°C 至 125°C 的全军事温度范围。
LinCMOS® 工艺：采用德州仪器的 LinCMOS® 工艺，提供了优于标准 CMOS 工艺的模拟性能，包括在大差分输入电压下的极稳定输入偏移电压。
主要参数
绝对最大额定值：供电电压范围 - 0.3V 至 18V；差分输入电压 ±18V；输入电压范围 - 0.3V 至 VDD；输出电压范围 - 0.3V 至 VDD；输入电流 ±5mA；每个输出端的最大输出电流 ±20mA；流入 VDD 的总电流和流出 GND 的总电流均不得超过 40mA。
电气特性参数：在 25°C 时，共模抑制比的典型值为 84dB，电源电压抑制比的典型值为 85dB；高电平输出电流（VOH）在 25°C 时的典型值为 4.5V 至 4.7V，低电平输出电流（VOL）在 25°C 时的典型值为 210mV 至 300mV；低至高电平输出的传播延迟时间（tPLH）在 5V 供电、25°C 和 50pF 负载电容条件下的典型值为 2.7µs。
应用领域
脉宽调制（PWM）电机速度控制器：通过调节电机的电源电压来控制其速度，实现对电机的精确控制，同时满足低功耗需求。
电源监控：用于检测电源电压是否在安全范围内，当电源电压下降到预设阈值以下时，可以触发报警或执行其他保护措施。
时钟信号生成：可用于生成两相非重叠的时钟信号，确保两个时钟信号之间有适当的死区时间，避免相互干扰，适用于需要精确时序控制的数字系统和通信设备。
电池管理：在电池供电或能量收集系统中，作为微功耗开关调节器的一部分，用于管理电源的开关状态，以优化能量消耗并延长电池寿命。
