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PHKD13N03LT 是一款双 N 沟道增强型场效应管

发布时间2025-7-8 9:10:00关键词:PHKD13N03LT
摘要

PHKD13N03LT 常用于笔记本电脑、锂离子电池充电器、DC-DC 转换器等电路中。

PHKD13N03LT
PHKD13N03LT 是一款双 N 沟道增强型场效应管,采用 TrenchMOS 技术和 SO-8 封装。其主要功能如下:
电压控制电流导通:作为场效应管,PHKD13N03LT 可通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流导通情况。当栅极电压达到一定阈值(典型值为 1.5V)时,管子导通,允许电流从漏极流向源极。其漏源极电压最大值为 30V,连续漏极电流可达 10.4A,能在一定电压和电流范围内实现有效的电流控制。
低导通电阻减少损耗:该器件具有低导通电阻特性,在栅源电压为 10V 时,最大导通电阻仅为 20mΩ,可使导通时的功率损耗降低,提高电路效率,适用于对功率损耗要求较高的电路。
快速开关实现高频应用:PHKD13N03LT 具备快速开关特性,能够快速地在导通和截止状态之间切换,可应用于高频电路,如 DC-DC 转换器中,有助于提高电源转换效率和减小电路体积。
低栅极电荷简化驱动:由于其栅极电荷较低,只需较小的驱动功率就能驱动其工作,使栅极驱动电路得以简化,降低了对驱动电路的要求。
基于以上功能,PHKD13N03LT 常用于笔记本电脑、锂离子电池充电器、DC-DC 转换器等电路中。

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