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MT41K256M16TW-107:P 动态随机存取存储器

发布时间2025-7-1 9:25:00关键词:MT41K256M16TW-107:P
摘要

MT41K256M16TW-107:P 是美光(Micron)推出的一款高性能 DDR3L SDRAM 存储芯片

MT41K256M16TW-107:P
MT41K256M16TW-107:P 是美光(Micron)推出的一款高性能 DDR3L SDRAM 存储芯片,以下是关于它的详细介绍:
技术参数
存储容量:单颗芯片容量达 4Gb,内存组织形式为 256M×16,即有 256M 个存储单元,每个单元的数据宽度为 16 位,能够为系统提供充足的内存资源,可有效支持复杂应用程序的运行。
工作电压:采用 DDR3L 技术,工作电压为 1.35V,比标准 DDR3 的 1.5V 降低了 10%,从而大幅降低了功耗和散热需求。
数据传输速率:支持高达 1866MT/s 的数据传输速率,其时钟频率可达 933MHz,能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。
封装形式:采用 96 引脚的 TFBGA(Thin Fine-pitch Ball Grid Array)封装,封装尺寸为 8mm×14mm,具有较小的尺寸和较高的引脚密度,适合表面贴装技术,有利于提高电路板的集成度。
工作温度范围:商业级温度范围为 0℃至 + 95℃,确保了在各种商业环境下的稳定运行。
技术特点
双倍数据速率结构:使用双倍数据速率结构,采用 8n 预取技术,可在输入引脚上每个时钟周期发送两个信息字,有效提高了数据传输效率。
差分双向数据选通:通过差分信号传输数据选通信号,能够提高信号的抗干扰能力,保证数据传输的准确性和稳定性。
片上终端(ODT):具有标称和动态片上终端功能,可通过软件编程来设置终端电阻的阻值,以优化信号完整性,减少信号反射和干扰。
可编程延迟:支持可编程 CAS(READ)延迟(CL)、可编程发布 CAS 附加延迟 (AL) 以及可编程 CAS(写)延迟(CWL),可以根据不同的应用需求和系统配置,灵活调整内存访问的时序参数,以提高系统性能。
应用领域
服务器和数据中心:为服务器和数据中心设备提供高密度存储和处理能力,支持大量数据的快速读写和处理,满足云计算、大数据分析等应用对内存的高要求。
高性能计算设备和工作站:适用于需要进行复杂计算和数据处理的高性能计算设备和工作站,如科学研究、工程设计、图形渲染等领域,能够加速计算过程,提高工作效率。
通信设备:可用于网络交换机和路由器等通信设备,实现高速数据转发和存储,支持网络的大容量数据传输和处理,保障网络的流畅运行。
工业控制系统和自动化设备:在工业控制系统和自动化设备中,用于存储和处理实时数据、控制指令等,确保设备的稳定运行和精确控制,提高工业生产的自动化程度和可靠性。
医疗电子设备:如医疗影像设备、医疗监护设备等,需要大容量、高速的内存来存储和处理医学图像、生理数据等,该芯片能够满足这些设备对内存的需求,为医疗诊断和治疗提供支持。
消费电子产品:可应用于智能电视、机顶盒等消费电子产品,提供流畅的视频播放、多任务处理等功能,提升用户体验。

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