基本信息
驱动配置：半桥驱动，适用于三相系统，具有 6 个驱动通道，可同时驱动 6 个功率器件。
适用器件：主要用于驱动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-channel MOSFET）。
封装形式：采用 28 引脚的小外形集成电路（SOIC）封装，这种封装形式具有良好的电气性能和机械稳定性，适合表面贴装技术（SMT），便于在电路板上进行安装和焊接。
特点与优势
宽电压范围：工作电源电压范围为 10V 至 20V，能够适应不同的电源系统，提供了灵活的供电选择。
高输出电流：峰值源电流可达 200mA，灌电流可达 350mA，能够为功率器件的栅极提供足够的驱动电流，确保功率器件快速、可靠地导通和关断。
高速开关特性：上升时间为 125ns，下降时间为 50ns，具备快速的开关速度，可有效降低功率器件的开关损耗，提高系统的效率和性能。
高侧电压能力：采用自举技术，高侧驱动电压最高可达 600V，能够满足高压应用场合的需求，如三相电机驱动、工业变频器等。
多种保护功能：内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时，自动关断输出，防止功率器件在欠压条件下工作而损坏；具有防止直通和死区时间功能，避免同一半桥臂上的高低侧功率器件同时导通，造成短路故障；还具备抗噪声能力，能够有效抑制电路中的噪声干扰，保证驱动信号的稳定性和准确性。
匹配的传播延迟：所有通道都具有匹配的传播延迟，确保各个通道之间的信号同步性，从而保证三相系统中功率器件的准确驱动，减少因信号不同步而引起的系统误差和故障。
工作原理
信号转换与放大：IR2136STRPBF 接收来自控制器的低压逻辑信号，通过内部的电路将其转换为适合驱动功率器件的高电压、大电流信号。在这个过程中，芯片对输入信号进行放大和整形，以确保驱动信号的质量和强度。
自举电路工作：对于高侧驱动，芯片利用自举电路来产生高于电源电压的驱动信号。在功率器件关断期间，自举电容被充电，当需要驱动高侧功率器件导通时，自举电容上存储的电荷被释放，为高侧栅极提供高于电源电压的驱动电压，从而实现高侧功率器件的可靠导通。
死区时间控制：为了防止同一半桥臂上的高低侧功率器件同时导通，IR2136STRPBF 在高低侧驱动信号之间引入了死区时间。即在高侧器件关断后，经过一段短暂的死区时间再开通低侧器件；反之，在低侧器件关断后，经过死区时间再开通高侧器件。这样可以确保在任何时刻，同一半桥臂上只有一个功率器件导通，避免了直通故障的发生。
应用领域
工业自动化：在工业电机驱动系统中，用于驱动三相交流电机，实现电机的调速、正反转等控制功能，广泛应用于风机、泵类、传送带等设备中。
新能源领域：如太阳能逆变器、风力发电变流器等，用于驱动 IGBT 或 MOSFET 功率器件，实现直流到交流的转换，将可再生能源转换为可并网的交流电。
电动汽车：在电动汽车的电池管理系统（BMS）和电机驱动系统中，IR2136STRPBF 可用于驱动功率器件，实现电池的充放电控制和电机的高效驱动，提高电动汽车的性能和续航里程。
不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的逆变器部分，将电池的直流电转换为交流电，为负载提供稳定的电力供应，确保在市电停电时，负载能够继续正常工作。
