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K4F8E304HB-MGCJ存储芯片

发布时间2025-5-26 10:00:00关键词:K4F8E304HB-MGCJ
摘要

K4F8E304HB-MGCJ 是三星推出的一款 LPDDR4 存储芯片

K4F8E304HB-MGCJ
K4F8E304HB-MGCJ 是三星推出的一款 LPDDR4 存储芯片,以下是其详细介绍:
基本参数
存储容量:8Gb,能够满足各类设备对于大容量数据存储的需求,可支持运行多个复杂应用程序以及处理大量数据。
封装形式:采用 200 引脚的 FBGA(细脚球栅格阵列)封装,尺寸为 10x15mm,这种封装方式具有良好的电气性能和散热性能,且占用空间小,适合应用于空间紧凑的移动设备和嵌入式系统。
组织结构:具有 256Mx32 的组织结构,即每个 I/O 通道有 32Mb 存储容量,数据宽度为 32 位,总共有 8 个数据队列(DQ),分为两个通道进行数据传输,可实现数据的并行处理,提高数据传输效率。
工作电压:主要工作电压为 VDD1=1.8V、VDD2=1.1V、VDDQ=1.1V,低电压工作模式有助于降低芯片功耗,延长设备电池续航时间。
性能特点
高数据传输速率:属于 LPDDR4 内存芯片,工作频率通常在 1600MT/s 至 3200MT/s 之间,这款芯片速度标注为 200F,可能指的是 2000MT/s,意味着每秒可以传输 2000 兆次的数据,数据传输速度快,能够快速地读取和写入数据,使设备能够快速响应用户操作。
低功耗:相比 LPDDR3,在相同的数据传输速率下,能效提高了约 50%。通过优化电压和时钟管理,以及采用更低的工作电压,在保证性能的同时,显著降低了功耗,满足现代电子设备对节能的要求。
高可靠性:采用先进的制造工艺和质量控制体系,确保芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性,能够适应 - 25℃至 85℃的工作温度范围,可满足不同应用场景下的使用需求。
应用领域
移动设备:如智能手机、平板电脑等,能够为设备提供快速的运行速度和流畅的操作体验,支持高分辨率屏幕显示、多任务处理以及各种大型应用和游戏的运行。
嵌入式系统:在工业控制、智能家居、物联网设备等嵌入式领域,可用于存储程序代码、配置信息和数据缓存等,帮助提升系统的性能和响应速度,确保设备的稳定运行。
人工智能与虚拟现实设备:这些设备需要处理大量的数据和复杂的算法,K4F8E304HB-MGCJ 芯片的高存储容量和快速数据传输能力能够为其提供有力的支持,保障设备的高效运行。


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